首页> 外文OA文献 >A Single Step Lapping and Polishing Process for Achieving Surfaces of Compound Semiconductors with Atomic Flatness using a Sub-micron Agglomerate-free Alumina Slurry

【2h】

A Single Step Lapping and Polishing Process for Achieving Surfaces of Compound Semiconductors with Atomic Flatness using a Sub-micron Agglomerate-free Alumina Slurry

机译：使用亚微米无团聚氧化铝浆料实现具有原子平坦度的复合半导体表面的单步研磨和抛光工艺

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Dutta, P.S.; Rajagopalan, G.; Gutmann, J.J.; Keller, D.; Sweet, L.;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2002
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
专利

1. Single atomic steps on SiC polished surfaces [J] . P. Vicente, D. Chaussende III-Vs Review . 2002,第4期

机译：SiC抛光表面上的单原子台阶
2. Visualization of single atomic steps on an ultra-flat Si(100) surface by advanced differential interference contrast microscopy [J] . Kobayashi S.-I., Kim Y.-G., Wen R., Electrochemical and solid-state letters . 2011,第9期

机译：通过先进的差分干涉对比显微镜对超平坦Si（100）表面上的单个原子台阶进行可视化
3. Plasma assisted polishing of single crystal SiC for obtaining atomically flat strain-free surface [J] . K. Yamamura, T. Takiguchi, M. Ueda, CIRP Annals . 2011,第1期

机译：等离子辅助抛光单晶SiC，以获得原子平坦的无应变表面
4. A NOVEL SINGLE STEP LAPPING AND CHEMO-MECHANICAL POLISHING SCHEME FOR ANTIMONIDE BASED SEMICONDUCTORS USING 1 mu m AGGLOMERATE-FREE ALUMINA SLURRY [C] . P.S. DUTTA, R.J. GUTMANN, D. KELLER MRS Meeting . 2001

机译：一种新的单步研磨和化学机械抛光方案，用于使用1μm聚集无氧化铝浆料的抗衍生物基半导体
5. Flat surface lapping: Process modeling in an intelligent environment. [D] . Sunanta, Owat. 2002

机译：平面研磨：在智能环境中进行过程建模。
6. Short-range surface plasmonics: Localized electron emission dynamics from a 60-nm spot on an atomically flat single-crystalline gold surface [O] . Bettina Frank, Philip Kahl, Daniel Podbiel, 2017

机译：短距离表面等离子体激元：原子平坦的单晶金表面上60 nm点处的局部电子发射动力学
7. Comparative Study on Surfaces of Single-Crystalline Substrates. From Dielectric Substance to Semiconductor and Metal. Surface Flatness of III-V Compound Semiconductors. [O] . Jiro OSAKA 2000

机译：单晶衬底表面的比较研究。从介电物质到半导体和金属。 III-V复合半导体的表面平坦度。
8. Single Step Lapping and Polishing Process for Achieving Surfaces of Compound Semiconductors with Atomic Flatness using a Sub-micron Agglomerate-free Alumina Slurry [R] . Dutta, P. S., Rajagopalan, G., Gutmann, R. J., 2002

机译：使用亚微米无团聚氧化铝浆料实现具有原子平坦度的复合半导体表面的单步研磨和抛光工艺

A Single Step Lapping and Polishing Process for Achieving Surfaces of Compound Semiconductors with Atomic Flatness using a Sub-micron Agglomerate-free Alumina Slurry

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅